Профиль » Публикация

Аннотация Сочетанием методов газофазной эпитаксии из металлорганических соединений и диффузии Zn из газовой фазы были получены Ge-фотоэлементы на основе GaAs/Ge-гетероструктуры, характеризующиеся увеличенными значениями фототока и напряжения холостого хода. Расчетное значение кпд Ge-фотоэлемента превышает5.5% при преобразовании концентрированного солнечного излучения. Достигнутые значения фототока в Ge-фотоэлементе близки к значениям фототока, получаемым в GaAs-фотоэлементе при одинаковых условиях освещения солнечным излучением с воздушной массой AM0, что обеспечивает возможность создания высокоэффективных каскадных концентраторных солнечных элементов с \glqq верхним\grqq GaAs-элементом и \glqq нижним\grqq Ge-элементом.