Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2004-00-00 ОрганизацияИнститут сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, 117105 Москва, Россия * Физический институт им.П.Н.Лебедева Российской академии наук, 117924 Москва, Россия + Институт радиотехники и электроники Российской академии нау ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Исследования физических явлений в полупроводниковых наноструктурах сиспользованием планарно-неоднородных слоев. Фотолюминесценция туннельно-связанных квантовых ям

Хабаров Ю.В., Капаев В.В., Петров В.А.

Хабаров Ю.В., Капаев В.В., Петров В.А. Исследования физических явлений в полупроводниковых наноструктурах сиспользованием планарно-неоднородных слоев. Фотолюминесценция туннельно-связанных квантовых ям // ФТП, 2004, том 38, выпуск 4, Стр. 455

Аннотация Предложенный ранее спектрально-корреляционный метод исследования наноструктур применен для изучения фотолюминесценции туннельно-связанных и изолированных квантовых ям в структурах с планарно-неоднородными слоями. Этот метод позволил исследовать на одном образце зависимости интенсивностей линий фотолюминесценции и их энергетических положений от ширины туннельного барьера для системы туннельно-связанных ям GaAs--InGaAs--GaAs и от ширины квантовых ям для системы изолированных квантовых ям AlGaAs--GaAs--AlGaAs. Полученные экспериментальные данные удается согласовать с теоретическими расчетами, предположив в структуре с туннельно-связанными квантовыми ямами наличие постоянного поперечного электрического поля, влияющего на процессы захвата носителей в квантовые ямы. Для изолированных квантовых ям зависимость параметров фотолюминесценции от ширины ям демонстрирует чувствительность к рельефу гетерограниц и к процессам захвата носителей в квантовыеямы.