Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2004-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Вертикальный транспорт горячих электронов всверхрешетках GaAs/AlAs

Мирлин Д.Н., Сапега В.Ф., Устинов В.М.

Мирлин Д.Н., Сапега В.Ф., Устинов В.М. Вертикальный транспорт горячих электронов всверхрешетках GaAs/AlAs // ФТП, 2004, том 38, выпуск 5, Стр. 598

Аннотация Методами поляризованной горячей фотолюминесценции исследованы оcобенности баллистического транспорта горячих фотовозбужденных электронов из сверхрешетки в уширенную квантовую яму. Установлено, что подавляющая часть фотовозбужденных электронов успевает термализоваться до захвата в уширенную квантовую яму. Однако малая часть фотовозбужденных электронов достигает уширенной квантовой ямы баллистически, сохраняя анизотропию распределения по импульсам или спиновую ориентацию, возникшую в результате поглощения линейно или циркулярно поляризованного света в сверхрешетке.