Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2004-00-00 ОрганизацияЯрославский государственный университет им.П.Г.Демидова, 150000 Ярославль, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Тензорезистивный эффект в слоях пористого кремния сразличной морфологией

Зимин С.П., Брагин А.Н.

Зимин С.П., Брагин А.Н. Тензорезистивный эффект в слоях пористого кремния сразличной морфологией // ФТП, 2004, том 38, выпуск 5, Стр. 616

Аннотация Исследовано влияние упругой деформации изгиба на электропроводность пористого кремния с различной морфологией пор и с различными свойствами обедненных областей вокруг пор. Пористые слои были сформированы методом анодного электрохимического травления на кремниевых пластинах p- иn-типа проводимости и обладали пористостью 5-68%. Показано, что характер наблюдаемых изменений электропроводности пористого кремния при деформации зависит от структурных особенностей пористого материала. Для объяснения полученных результатов использованы различные физические модели переноса носителей заряда в пористом кремнии.