Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2004-00-00 ОрганизацияМосковский государственный университет им. М.В. Ломоносова, 119992 Москва, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Особенности электрического транспорта ванизотропно наноструктурированном кремнии

Форш П.А., Осминкина Л.А., Тимошенко В.Ю., Кашкаров П.К.

Форш П.А., Осминкина Л.А., Тимошенко В.Ю., Кашкаров П.К. Особенности электрического транспорта ванизотропно наноструктурированном кремнии // ФТП, 2004, том 38, выпуск 5, Стр. 626

Аннотация Исследованы закономерности электрического транспорта в слоях пористого кремния, полученного методом электрохимического травления пластин монокристаллического кремния p-типа с ориентацией поверхности(110). Обнаружено, что латеральные проводимость и фотопроводимость слоев вдоль кристаллографической оси[110] значительно выше, чем вдоль оси[001]. Для объяснения полученного результата использована модель эффективной среды, в которой учтено наличие потенциальных барьеров на границах кремниевых нанокристаллов, характеризующихся анизотропией формы. Экспоненциальная зависимость проводимости пористого кремния от корня квадратного из приложенного напряжения интерпретирована в рамках эффекта Пула-Френкеля.