Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2004-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Структурные дефекты на границе раздела сегнетоэлектрик-полупроводник

Берман Л.С., Титков И.Е.

Берман Л.С., Титков И.Е. Структурные дефекты на границе раздела сегнетоэлектрик-полупроводник // ФТП, 2004, том 38, выпуск 6, Стр. 710

Аннотация Исследованы структурные дефекты на границе раздела между Pb0.95La0.05Ti0.8Zr0.2O3 и La1.85Sr0.15CuO4. Использован метод изотермической релаксации тока. Были рассмотрены два случая. а) Толщина дефектного слоя много меньше толщины области объемного заряда. б) Толщина дефектного слоя больше толщины области объемного заряда. Показано, что в исследованных образцах толщина дефектного слоя больше 50-100 Angstrem, а в интервале энергий Ev+(0.55-0.65) эВ плотность состояний глубокоуровневых центров порядка 3· 1020 см-3 эВ-1, что соответствует плотности поверхностных состояний порядка 2· 1014 см-2 эВ-1. Показано, что плотность состояний глубокоуровневых центров возрастает от границы раздела в глубь полупроводника.