Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2004-00-00 ОрганизацияГосударственное предприятие Научно-исследовательский институт &#92;glqq Орион&#92;grqq, 03057 Киев, Украина * Институт физики полупроводников им.В.Е.Лашкарева Национальной академии наук Украины, 03028 Киев, Украина ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Межфазные взаимодействия иособенности структурной релаксации вконтактах TiBx-n-GaAs (InP, GaP, 6H-SiC), подвергнутых активным обработкам

Болтовец Н.С., Иванов В.Н., Конакова Р.В., Кудрик Я.Я., Литвин О.С., Литвин П.М., Миленин В.В.

Болтовец Н.С., Иванов В.Н., Конакова Р.В., Кудрик Я.Я., Литвин О.С., Литвин П.М., Миленин В.В. Межфазные взаимодействия иособенности структурной релаксации вконтактах TiBx-n-GaAs (InP, GaP, 6H-SiC), подвергнутых активным обработкам // ФТП, 2004, том 38, выпуск 7, Стр. 769

Аннотация Приведены результаты экспериментальных исследований межфазных взаимодействий в контактах TiBx-n-GaAs (GaP, InP, 6H-SiC), стимулированных внешними воздействиями: быстрой термической обработкой при температурах до1000oC, микроволновой обработкой при f=2.5 ГГц гамма-квантами 60Co в интервале доз 105-107 рад. Рассмотрены возможные термические и атермические механизмы релаксации внутренних механических напряжений. Показана возможность формирования термостабильных границ раздела TiBx--полупроводник n-типа (GaAs, GaP, InP, 6H-SiC).