Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2004-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия * Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, 195251 Санкт-Петербург, Россия + Университет Линчепинга, 58133 Линчепинг, Швеция ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Радиационная стойкость SiC-детекторов транзисторного идиодного типов при облучении протонами8 МэВ

Строкан Н.Б., Иванов А.М., Савкина Н.С., Лебедев А.А., Козловский В.В., Syvajarvi M., Yakimova R.

Строкан Н.Б., Иванов А.М., Савкина Н.С., Лебедев А.А., Козловский В.В., Syvajarvi M., Yakimova R. Радиационная стойкость SiC-детекторов транзисторного идиодного типов при облучении протонами8 МэВ // ФТП, 2004, том 38, выпуск 7, Стр. 841

Аннотация Исследовались детекторы ядерного излучения на базе SiC со структурой: легированная подложка n+-типа / эпитаксиальный слой p-типа / барьер Шоттки. Структуры со слоем политипа 6H-SiC толщиной~10 мкм проявляли транзисторные свойства, а со слоем 4H-SiC толщиной~30 мкм--- диодные. Установлено, что у структур транзисторного типа наблюдается более чем десятикратное усиление сигнала. Усиление сохраняется при облучении протонами с энергией 8 МэВ как минимум до дозы 5·1013 см-2 при значении разрешающей способности=<10%. Вструктурах \glqq диодного\grqq типа усиления сигнала не наблюдалось. Но даже при максимальной дозе 2·1014 см-2 имелась группа образцов с разрешением~3%, приемлемым для ряда задач.