Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2004-00-00 ОрганизацияИнститут физики твердого тела Российской академии наук, 142432 Черноголовка, Россия * Институт проблем технологии микроэлектроники Российской академии наук, 142432 Черноголовка, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Ультрафиолетовая люминесценция ZnO, инфильтрованного вопаловую матрицу

Масалов В.М., Самаров Э.Н., Волкодав Г.И., Емельченко Г.А., Баженов А.В., Божко С.И., Карпов И.А., Грузинцев А.Н., Якимов Е.Е.

Масалов В.М., Самаров Э.Н., Волкодав Г.И., Емельченко Г.А., Баженов А.В., Божко С.И., Карпов И.А., Грузинцев А.Н., Якимов Е.Е. Ультрафиолетовая люминесценция ZnO, инфильтрованного вопаловую матрицу // ФТП, 2004, том 38, выпуск 7, Стр. 884

Аннотация Разработана технология инфильтрации оксида цинка в трехмерную опаловую решетку методом химического осаждения из раствора, получены образцы композитов ZnO--опал, проявляющие преимущественно люминесценцию в ультрафиолетовой области спектра при комнатной температуре. Степень заполнения контролировали двумя способами: 1) по приросту массы образца; 2) по смещению максимума в спектре оптического отражения заполненных ZnO образцов относительно исходных опаловых матриц. Результаты, полученные двумя методами, согласуются. Определены оптимальные условия синтеза заполненных оксидом цинка опалов с точки зрения получения максимальной интенсивности ультрафиолетовой люминесценции. Показано, что использование \glqq сырых\grqq опалов и частичное заполнение пор полупроводниковым материалом дает увеличение интенсивности краевой экситонной полосы свечения при комнатной температуре в несколько раз. Полученные результаты могут быть использованы при создании эффективных направленных лазерных источников света в ультрафиолетовой области спектра с использованием эффекта \glqq фотонного кристалла\grqq.