Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2004-00-00 ОрганизацияСанкт-Петербургский государственный политехнический университет, 195251 Санкт-Петербург, Россия * Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Влияние электронно-электронных и электронно-дырочных столкновений на внутризонную инверсную населенность электронов вступенчатых квантовых ямах

Зерова В.Л., Зегря Г.Г., Воробьев Л.Е.

Зерова В.Л., Зегря Г.Г., Воробьев Л.Е. Влияние электронно-электронных и электронно-дырочных столкновений на внутризонную инверсную населенность электронов вступенчатых квантовых ямах // ФТП, 2004, том 38, выпуск 9, Стр. 1090

Аннотация Исследовалось влияние межподзонного электронно-электронного (e-e) и электронно-дырочного (e-h) рассеяния на внутризонную инверсную населенность электронов в ступенчатой квантовой яме InGaAs/AlGaAs. Вычислены времена наиболее вероятных e-e и e-h процессов, влияющих на концентрации электронов на возбужденных уровнях, в диапазоне температур от 80 до 300 K. Исследованы зависимости этих времен от концентрации электронов и дырок на основных уровнях. Для двух значений неравновесных концентраций рассчитаны температурные зависимости внутризонной инверсной населенности путем решения системы скоростных уравнений. Показано, что при концентрациях электронов менее 1· 1012 cм-2 межподзонное e-e и e-h рассеяние слабо влияет на инверсию населенности.