Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2004-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия + Институт физики им. Б.И.Степанова Национальной академии наук Белоруссии, 220072 Минск, Белоруссия * Institut fur Theoretische Elektrotechnik, RWTH, Aachen ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Лазерная генерация вгетероструктурах Cd(Zn)Se/ZnMgSSe принакачке излучением азотного иInGaN/GaNлазеров

Седова И.В., Сорокин С.В., Торопов А.А., Кайгородов В.А., Иванов С.В., Копьев П.С., Луценко Е.В., Павловский В.Н., Зубелевич В.З., Гурский А.Л., Яблонский Г.П., Dikme Y., Kalisch H., Szymakowski A., Jansen R.H., Schineller B., Heuken M. Лазерная генерация вгетероструктурах Cd(Zn)Se/ZnMgSSe принакачке излучением азотного иInGaN/GaNлазеров // ФТП, 2004, том 38, выпуск 9, Стр. 1135

Аннотация Исследована фотолюминесценция и генерация Cd(Zn)Se/ZnMgSSe-лазеров с различным дизайном активной области, излучающих в зеленом спектральном диапазоне (длины волн lambda=510-530 нм) в широком интервале температур и интенсивностей накачки азотным лазером. Минимальный порог генерации10 кВт/см2, максимальная внешняя квантовая эффективность12% и максимальная выходная мощность 20 Вт были получены для структуры, активная область которой состояла из трех изолированных квантовых ям ZnSe с дробно-монослойными вставками CdSe. Лазеры имели высокую температурную стабильность порога генерации (характеристическая температура T0=330 K до100oC). Впервые предложен и исследован интегральный конвертер, состоящий из зеленого Cd(Zn)Se/ZnMgSSe-лазера, оптически накачиваемого синим InGaN/GaN-лазером с множественными квантовыми ямами, выращенным на подложкеSi(111).