Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2004-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия * Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, 220030 Минск, Белоруссия + Санкт-Петербургский государственный политехнический уни ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Создание и фоточувствительность гетеропереходов на кристаллах CuIn3Se5

Боднарь И.В., Никитин С.Е., Ильчук Г.А., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Якушев М.В.

Боднарь И.В., Никитин С.Е., Ильчук Г.А., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Якушев М.В. Создание и фоточувствительность гетеропереходов на кристаллах CuIn3Se5 // ФТП, 2004, том 38, выпуск 10, Стр. 1228

Аннотация Гетеропереходы на кристаллах p-CuIn3Se5 изготовлены методами магнетронного распыления мишени n-ZnO : Al и посадки естественно-сколотых тонких пластин n-GaSe на полированную поверхность пластин p-CuIn3Se5. Обсуждаются вольт-амперные характеристики и механизмы прохождения тока в исследуемых диодах. Обнаружен и обсуждается фотовольтаический эффект в созданных структурах. Показано, что полученные фоточувствительные гетеропереходы являются перспективными для создания селективных фотоанализаторов линейно поляризованного излучения.