Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2004-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия * Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, 195251 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Расчет термоэлектрической эффективности многослойных структур сквантовыми ямами вслучае полярного рассеяния носителей наоптических фононах

Пшенай-Северин Д.А., Равич Ю.И.

Пшенай-Северин Д.А., Равич Ю.И. Расчет термоэлектрической эффективности многослойных структур сквантовыми ямами вслучае полярного рассеяния носителей наоптических фононах // ФТП, 2004, том 38, выпуск 10, Стр. 1251

Аннотация Произведен расчет повышения термоэлектрической добротности в слоистой структуре с квантовыми ямами при полярном рассеянии носителей тока оптическими фононами. На основе выполненных ранее и новых расчетов для различных механизмов рассеяния сделан вывод, что увеличение добротности вследствие размерного квантования электронов возможно лишь при условии, что вероятность рассеяния носителей убывает при увеличении переданного волнового вектора.