Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2004-00-00 Организация&#36; Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, 190103 Санкт-Петербург, Россия * Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Свойства нановискеров GaAs наповерхности GaAs(111)B, полученных комбинированным методом

Тонких А.А., Цырлин Г.Э., Самсоненко Ю.Б., Сошников И.П., Устинов В.М.

Тонких А.А., Цырлин Г.Э., Самсоненко Ю.Б., Сошников И.П., Устинов В.М. Свойства нановискеров GaAs наповерхности GaAs(111)B, полученных комбинированным методом // ФТП, 2004, том 38, выпуск 10, Стр. 1256

Аннотация Комбинированным методом вакуумного напыления и молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках GaAs(111)B синтезированы массивы нитевидных кристаллов (вискеров)GaAs. Структурные свойства поверхности полученных образцов исследованы с помощью сканирующего электронного микроскопа. Обнаружено, что поверхностная плотность вискеров составляет величину (1-2)· 109 см-2. Характерные размеры вискеров: 30--150 нм (диаметр) и 300--800 нм (длина). Показана возможность управлять размерами вискеров путем изменения условий роста и толщины напыленной пленки золота.