Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2004-00-00 ОрганизацияИнститут физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук, 630090 Новосибирск, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Волноводные Ge / Si-фотодиоды совстроенными слоями квантовых точекGe дляволоконно-оптических линий связи

Якимов А.И., Двуреченский А.В., Кириенко В.В., Степина Н.П., Никифоров А.И., Ульянов В.В., Чайковский С.В., Володин В.А., Ефремов М.Д., Сексенбаев М.С., Шамирзаев Т.С., Журавлев К.С. Волноводные Ge / Si-фотодиоды совстроенными слоями квантовых точекGe дляволоконно-оптических линий связи // ФТП, 2004, том 38, выпуск 10, Стр. 1265

Аннотация Сообщаются результаты исследований, направленных на создание высокоэффективных фотоприемников на основе гетероструктур Ge / Si для применения в волоконно-оптических линиях связи. Фотоприемники выполнены в виде вертикальных p-i-n-диодов на подложках кремний-на-изоляторе в сочетании с волноводной латеральной геометрией и содержат слои квантовых точекGe. Слоевая плотность квантовых точек составляет 1·1012 см-2, размеры точек в плоскости роста~8 нм. Достигнута наибольшая из известных в литературе для Ge / Si-фотодиодов с квантовыми точками величина квантовой эффективности в диапазоне телекоммуникационных длин волн, которая при засветке со стороны торца волноводов составила21% на длине волны1.3 мкм и16% на длине волны1.55 мкм.