Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2004-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия *Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, 195251 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Фотоэлектрические свойства структур ZnO/CuPc/Si

Ильчук Г.А., Никитин С.Е., Николаев Ю.А., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Теруков Е.И.

Ильчук Г.А., Никитин С.Е., Николаев Ю.А., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Теруков Е.И. Фотоэлектрические свойства структур ZnO/CuPc/Si // ФТП, 2004, том 38, выпуск 11, Стр. 1349

Аннотация Методами вакуумного термического напыления слоев фталоцианина меди CuPc на поверхность пластин n- и p-Si, а затем магнетронного осаждения слоев ZnO : Al на поверхность CuPc получены структуры n-ZnO : Al / CuPc/n(p)Si. Показано, что в спектральной области 1.65-3.3 эВ полученные структуры обнаруживают высокую фоточувствительность (~ 80 В/Вт при T=300 K). Обсуждаются выпрямление и фотовольтаический эффект полученных структур в связи со свойствами кремниевых подложек. Сделан вывод о перспективах применения контакта фталоцианина с алмазоподобными полупроводниками (на примере Si) в качестве широкополосных высокоэффективных фотопреобразователей.