Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2004-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Свойства светодиодов наоснове GaSb ссетчатыми омическими контактами

Именков А.Н., Гребенщикова Е.А., Журтанов Б.Е., Данилова Т.Н., Сиповская М.А., Власенко Н.В., Яковлев Ю.П.

Именков А.Н., Гребенщикова Е.А., Журтанов Б.Е., Данилова Т.Н., Сиповская М.А., Власенко Н.В., Яковлев Ю.П. Свойства светодиодов наоснове GaSb ссетчатыми омическими контактами // ФТП, 2004, том 38, выпуск 11, Стр. 1399

Аннотация Сообщается об исследовании светодиодов на основе гетероструктур GaSb-GaInAsSb-GaAlAsSb, излучающих за счет электронных переходов из зоны проводимости на уровни собственных двухзарядных акцепторов. Экспериментально и теоретически исследованы светодиоды в виде параллелепипеда как с круглым контактом, так и с сетчатым контактом на поверхности эптиксиального слоя. Приводятся математические соотношения, описывающие растекание тока из круглых и сетчатых контактов. Показано, что сетчатые контакты обеспечивают равномерное распределение тока по площади излучающего слоя в отличие от круглых контактов. Плотность тока под сетчатым контактом реально в 20раз меньше, чем под круглым, что особенно актуально для длинноволновых светодиодов (lambda>~=2 мкм), в которых велик вклад безызлучательной оже-рекомбинации. Ссетчатыми контактами получена мощность излучения3.5 мВт при токе300 мА.