Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2004-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Влияние сероводорода нафотоэлектрические характеристики изотипных гетероструктур Al-n -Si- SnO2: Cu- Ag

Слободчиков С.В., Руссу Е.В., Иванов Э.В., Малинин Ю.Г., Салихов Х.М.

Слободчиков С.В., Руссу Е.В., Иванов Э.В., Малинин Ю.Г., Салихов Х.М. Влияние сероводорода нафотоэлектрические характеристики изотипных гетероструктур Al-n -Si- SnO2: Cu- Ag // ФТП, 2004, том 38, выпуск 12, Стр. 1426

Аннотация Исследованы электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктур Al--n-Si--SnO2 : Cu--Ag. Установлено, что токоперенос в данной структуре обусловлен двойной инжекцией носителей заряда в диффузионном приближении. При экспонировании гетероструктуры в газовой смеси1%-H2S/N2 наблюдался прирост величины фототока на35%. На воздухе исходные значения фототока восстанавливались. Времена нарастания и спада фотосигнала сравнительно невелики--- 1 и3 мин соответственно.