Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2004-00-00 ОрганизацияМосковский государственный университет им.М.В.Ломоносова (физический факультет) 119992 Москва, Россия * ОАО &#92;glqq Оптрон&#92;grqq, 105318 Москва, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Исследование разрыва зон нагетеропереходе напряженных короткопериодных сверхрешеток GaAs/GaAsP методом спектроскопии фотоотражения

Авакянц Л.П., Боков П.Ю., Колмакова Т.П., Червяков А.В.

Авакянц Л.П., Боков П.Ю., Колмакова Т.П., Червяков А.В. Исследование разрыва зон нагетеропереходе напряженных короткопериодных сверхрешеток GaAs/GaAsP методом спектроскопии фотоотражения // ФТП, 2004, том 38, выпуск 12, Стр. 1429

Аннотация Из спектров фотоотражения напряженной короткопериодной сверхрешетки GaAs/GaAs0.6P0.4 определены энергии межзонных переходов с участием подзон размерного квантования. По наблюдаемому сдвигу энергии фундаментального перехода GaAs0.6P0.4 проведен расчет механических деформаций, обусловленных рассогласованием кристаллических решеток слоевGaAs иGaAs0.6P0.4. Врамках модели Кронига-Пенни проведено моделирование положения минизон сверхрешетки в зависимости от величины скачка потенциала на гетерогранице. Сравнение результатов моделирования с экспериментальными данными показало, что исследованная сверхрешетка относится к контрвариантному типу со слабо локализованными электронами и легкими дырками, при этом величина скачка потенциала на гетерогранице в зоне проводимости составилаDelta Ec/Delta Eg=0.15.