Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2004-00-00 ОрганизацияИнститут физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук, 630090 Новосибирск, Россия * Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, 103907 Москва, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Ловушки сэнергиями вблизи середины запрещенной зоны награнице Si/SiO2, созданной сращиванием, вструктурах кремний-на-изоляторе

Антонова И.В., Попов В.П., Поляков В.И., Руковишников А.И.

Антонова И.В., Попов В.П., Поляков В.И., Руковишников А.И. Ловушки сэнергиями вблизи середины запрещенной зоны награнице Si/SiO2, созданной сращиванием, вструктурах кремний-на-изоляторе // ФТП, 2004, том 38, выпуск 12, Стр. 1439

Аннотация Исследованы центры захвата (ловушки), локализованные на границе Si/SiO2 и в объеме отсеченного слоя Si в структурах кремний-на-изоляторе (КНИ), полученных методом сращивания и водородного расслоения. Для определения параметров центров была использована зарядовая релаксационная спектроскопия глубоких уровней (Q-DLTS) с разверткой по временному окну при фиксированных значениях температуры. Такой метод позволяет исследовать ловушки вблизи середины запрещенной зоны Si при температурах, близких к комнатной. Показано, что плотность ловушек с непрерывным энергетическим спектром, локализованных на границе Si/SiO2, созданной сращиванием, в середине запрещенной зоны уменьшается более чем на 4порядка по сравнению с плотностью в максимуме, наблюдаемом при энергии активации Ea~ 0.2-0.3 эВ. Вотсеченном слое Si изготовленных структур КНИ обнаружены также центры захвата с энергией активации при комнатной температуре Ea=0.53 эВ, сечением захвата 10-19 см2 и концентрацией (0.7-1.7)· 1013 см-3. Предполагается, что данные центры захвата--- глубокие объемные уровни, индуцированные электрически активными примесями (дефектами) в отсеченном слое Si вблизи границы Si/SiO2.