Профиль » Публикация

Аннотация Рассмотрено накопление дефектов в приповерхностной областиSi при облучении ионамиBi с энергией0.5 МэВ при температуре -196oC. Показано, что накопление разупорядочения в приповерхностной области с ростом дозы облучения происходит как планарный рост аморфного слоя от границы Si--SiO2, и этот рост начинается после достижения пороговой дозы облучения. Полученные результаты хорошо описываются в рамках модели, основанной на миграции генерируемых ионами мобильных точечных дефектов к поверхности и последующих процессах их сегрегации на межфазной границе, а также наличии насыщаемых стоков в исходных образцах.