Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2005-00-00 ОрганизацияИнститут физики микроструктур Российской академии наук, 603950 Нижний Новгород, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Особенности эпитаксиального наращиванияGaN при пониженном давлении вреакторе МОГФЭ

Хрыкин О.И., Бутин А.В., Гапонова Д.М., Данильцев В.М., Дроздов М.Н., Дроздов Ю.Н., Мурель А.В., Шашкин В.И.

Хрыкин О.И., Бутин А.В., Гапонова Д.М., Данильцев В.М., Дроздов М.Н., Дроздов Ю.Н., Мурель А.В., Шашкин В.И. Особенности эпитаксиального наращиванияGaN при пониженном давлении вреакторе МОГФЭ // ФТП, 2005, том 39, выпуск 1, Стр. 21

Аннотация Изучены свойства слоев GaN, полученных методом МОГФЭ на сапфировых подложках при атмосферном и при пониженном давлении в реакторе. Проведен сравнительный анализ морфологии поверхности, структурных, люминесцентных и электрических транспортных свойств таких структур. Методом ВИМС измерены профили распределения элементов по глубине слоев. Методом электрохимического C-V-профилирования проанализировано распределение носителей тока в сильно легированных структурах с p-n-переходом. Показано, что слоиGaN, полученные в реакторе низкого давления, отличаются улучшенными структурными, электрическими и оптическими характеристиками.