Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2005-00-00 ОрганизацияИнститут физики микроструктур Российской академии наук, 603950 Нижний Новгород, Россия * Институт прикладной физики Российской академии наук, 603000 Нижний Новгород, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Изучение свойств структур с нанокластерамиAl, внедренными вматрицу GaAs

Востоков Н.В., Гусев С.А., Данильцев В.М., Дроздов М.Н., Дроздов Ю.Н., Корытин А.И., Мурель А.В., Шашкин В.И.

Востоков Н.В., Гусев С.А., Данильцев В.М., Дроздов М.Н., Дроздов Ю.Н., Корытин А.И., Мурель А.В., Шашкин В.И. Изучение свойств структур с нанокластерамиAl, внедренными вматрицу GaAs // ФТП, 2005, том 39, выпуск 1, Стр. 92

Аннотация Показана возможность формирования методом металлорганической газофазной эпитаксии искусственной среды, представляющей собой матрицу монокристаллического GaAs с внедренными наночастицамиAl. Проведены исследования ее электрических и оптических свойств.