Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2005-00-00 ОрганизацияИнститут физики полупроводников им.В.Е.Лашкарева Национальной академии наук Украины, 03028 Киев, Украина * University of Arkansas, Departament of Physics, 72701 Arkansas, USA ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Резонансное комбинационное рассеяние света и атомно-силовая микроскопия многослойных наноструктур InGaAs/GaAs с квантовыми точками

Валах М.Я., Стрельчук В.В., Коломыс А.Ф., Mazur Yu.I., Wang Z.M., Xiao M., Salamo G.J.

Валах М.Я., Стрельчук В.В., Коломыс А.Ф., Mazur Yu.I., Wang Z.M., Xiao M., Salamo G.J. Резонансное комбинационное рассеяние света и атомно-силовая микроскопия многослойных наноструктур InGaAs/GaAs с квантовыми точками // ФТП, 2005, том 39, выпуск 1, Стр. 140

Аннотация Методами атомно-силовой микроскопии, фотолюминесценции и комбинационного рассеяния света исследован переход от двухмерного (2D) псевдоморфного роста к трехмерному (3D) (наноостровковому) в многослойных структурах InxGa1-xAs/GaAs, полученных молекулярно-лучевой эпитаксией. Номинальная концентрация In вInxGa1-xAs варьировалась от x=0.20 до0.50. Толщина осаждаемых слоев InxGa1-xAs иGaAs составляли 14 и 70 монослоев соответственно. Показано, что при данных толщинах переход2D--3D имеет место при x>= 0.27. Установлено, что формирование квантовых точек InxGa1-xAs (наноостровков) не сводится к классическому механизму Странского--Крастанова, а существенно модифицируется процессами вертикальной сегрегации атомов In и интердиффузии атомовGa. Врезультате InxGa1-xAs может моделироваться 2Dслоем с пониженной концентрацией In (x0.60). Для многослойных сруктур InxGa1-xAs можно реализовать латеральное выстраивание квантовых точек в цепочки в направлении[ 110] и улучшение однородности их размеров.