Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2005-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Люминесценция lambda =6-9 мкм многослойных структур наосновеInAsSb

Зотова Н.В., Карандашев С.А., Матвеев Б.А., Ременный М.А., Стусь Н.М., Тараканова Н.Г.

Зотова Н.В., Карандашев С.А., Матвеев Б.А., Ременный М.А., Стусь Н.М., Тараканова Н.Г. Люминесценция lambda =6-9 мкм многослойных структур наосновеInAsSb // ФТП, 2005, том 39, выпуск 2, Стр. 230

Аннотация Описаны многослойные градиентные структуры InAs1-xSbx/.../InAs1-x-ySbxPy/n-InAs, излучающие в диапазоне длин волн от6 до9 мкм при инжекции/экстракции и оптической накачке.