Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2005-00-00 ОрганизацияГосударственный университет информационных технологий механики иоптики, 197101 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Метод измерения времени жизни носителей заряда вбазовых областях быстродействующих диодных структур

Тогатов В.В., Гнатюк П.А.

Тогатов В.В., Гнатюк П.А. Метод измерения времени жизни носителей заряда вбазовых областях быстродействующих диодных структур // ФТП, 2005, том 39, выпуск 3, Стр. 378

Аннотация Предложен метод измерения времени жизни носителей заряда в базовых областях p+-n-n+-структур, позволяющий производить измерения времен жизни в наносекундном диапазоне. Разработанная методика предусматривает такую же форму измерительного импульса тока, какая используется при стандартных измерениях времен восстановления диодных структур. На основе анализа решения уравнения непрерывности для дырок в области базы дано обоснование метода. Проведено сравнение расчетных данных с данными, полученными экспериментально.