Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:
Опубликовать в блог:
Опубликовано 2005-00-00 ОрганизацияИнститут физики микроструктур Российской академии наук, 603950 Нижний Новгород, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"


Резонансные состояния доноров вквантовых ямах
Бекин Н.А.
Бекин Н.А. Резонансные состояния доноров вквантовых ямах // ФТП, 2005, том 39, выпуск 4, Стр. 463
Аннотация Выполнены расчеты энергий и волновых функций резонансных состояний мелких доноров в квантовых ямах. Расчеты проводились в модели изолированного примесного центра на примере гетероструктуры GaAs/AlGaAs. Получена формула для вероятности спонтанного испускания полярных оптических(LO) фононов. Показано, что полярное электрон-фононное взаимодействие модифицируется вблизи энергий резонансов. Модификация обусловлена гибридизацией подзон размерного квантования, вследствие которой электрон взаимодействует с фононами, вообще говоря, одновременно в двух каналах (подзонах). Вычислено сечение поглощения инфракрасного излучения с учетом однородного (всреднем инфракрасном диапазоне) и неоднородного уширения (вдальнем инфракрасном диапазоне). Поглощение излучения, в котором электрическое поле волны перпендикулярно гетерограницам, обусловлено оптическими переходами в состояния в окрестности резонансов. Однородное уширение линий поглощения вместе с частотой рассеяния на LO-фононах оказываются зависящими от ширины резонансов (степени гибридизации подзон).
Ключевые слова публикации:
     

Комментарии

Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален