Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2005-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Интерфейсная имежзонная лазерная генерация вгетероструктуре InAs/InAsSbP, выращенной методом газофазной эпитаксии изметаллорганических соединений

Астахова А.П., Ильинская Н.Д., Именков А.Н., Кижаев С.С., Молчанов С.С., Яковлев Ю.П.

Астахова А.П., Ильинская Н.Д., Именков А.Н., Кижаев С.С., Молчанов С.С., Яковлев Ю.П. Интерфейсная имежзонная лазерная генерация вгетероструктуре InAs/InAsSbP, выращенной методом газофазной эпитаксии изметаллорганических соединений // ФТП, 2005, том 39, выпуск 4, Стр. 497

Аннотация Источники когерентного излучения изготовлены на основе двойной гетероструктуры InAs/InAsSbP с толстой активной областью (3.3 мкм), выращенной методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений. Исследованы спектральные характеристики диодов при различных длинах резонатора и измерена поляризация излучения. Установлено, что модовый состав спектра определяется излучательной рекомбинацией на гетерогранице и в объеме активной области. При величине тока на 30% выше порогового значения проявляется новая мода с промежуточной длиной волны между длинами волн упомянутых излучений. Промежуточная мода, предположительно, обусловлена взаимодействием между модами интерфейсной и межзонной излучательной рекомбинации, одновременно присутствующими в резонаторе.