Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2005-00-00 ОрганизацияЧерновицкий национальный университет, 58012 Черновцы, Украина * Centro de Investigacion en Energia-UNAM, 62580 Temixco, Morelos, Mexico ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Генерационно-рекомбинационный механизм переноса заряда втонкопленочном гетеропереходе CdS/CdTe

Косяченко Л.А., Mathew X., Мотущук В.В., Склярчук В.М.

Косяченко Л.А., Mathew X., Мотущук В.В., Склярчук В.М. Генерационно-рекомбинационный механизм переноса заряда втонкопленочном гетеропереходе CdS/CdTe // ФТП, 2005, том 39, выпуск 5, Стр. 569

Аннотация Исследована гетероструктура n-CdS/p-CdTe, полученная последовательным выращиванием слоев CdS и CdTe методом электрохимического осаждения и сублимацией в закрытом объеме соответственно. Измеренные вольт-амперные характеристики интерпретируются в рамках модели генерации--рекомбинации Саа--Нойса--Шокли в обедненном слое диодной структуры. Достигнуто количественное совпадение теории с результатами эксперимента.