Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2005-00-00 ОрганизацияИнститут аналитического приборостроения Российской академии наук, 190103 Санкт-Петербург, Россия * Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия &#36; Max-Planck Institut fur Mikrostrukturphysik, Wei ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Пороговый характер формирования наноразмерных островков всистеме Ge/Si (100) вприсутствии сурьмы

Цырлин Г.Э., Дубровский В.Г., Тонких А.А., Сибирев Н.В., Устинов В.М., Werner P.

Цырлин Г.Э., Дубровский В.Г., Тонких А.А., Сибирев Н.В., Устинов В.М., Werner P. Пороговый характер формирования наноразмерных островков всистеме Ge/Si (100) вприсутствии сурьмы // ФТП, 2005, том 39, выпуск 5, Стр. 577

Аннотация Методом атомно-силовой микроскопии проведено исследование поведения массива островков Ge, сформированных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на поверхности Si (100), в зависимости от потока сурьмы к поверхности. Показано, что при увеличении потока Sb до определенного уровня происходит увеличение поверхностной плотности островков, а по достижении его подавление нуклеации островков. При этом на поверхности наблюдаются мезоскопические кластеры Ge малой высоты. Качественное объяснение данного эффекта дается в рамках кинетической модели формирования островков в гетероэпитаксиальных системах, рассогласованных по параметру решетки.