Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2005-00-00 ОрганизацияИнститут физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук, 630090 Новосибирск, Россия * Нижегородский государственный университет, 603950 Нижний Новгород, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Формирование кремниевых нанокристаллов вслояхSiO2 приимплантации ионовSi спромежуточными отжигами

Качурин Г.А., Володин В.А., Тетельбаум Д.И., Марин Д.В., Лейер А.Ф., Гутаковский А.К., Черков А.Г., Михайлов А.Н.

Качурин Г.А., Володин В.А., Тетельбаум Д.И., Марин Д.В., Лейер А.Ф., Гутаковский А.К., Черков А.Г., Михайлов А.Н. Формирование кремниевых нанокристаллов вслояхSiO2 приимплантации ионовSi спромежуточными отжигами // ФТП, 2005, том 39, выпуск 5, Стр. 582

Аннотация Исследовано влияние отжигов при 1100oC на ионно-лучевой синтез нанокристалловSi в слоях SiO2. При сохранении общей дозы 1017 см-2 и длительности термообработок ~2 ч отжиги проводились как однократно, так и после внедрения каждой половины или трети дозы. Обнаружено, что промежуточные отжиги приводят к длинноволновому сдвигу спектра рамановского рассеяния нанокристаллов и к коротковолному смещению спектра фотолюминесценции. Электронная микроскопия выявила снижение размеров нанопреципитатов, сопровождающееся исчезновением признаков кристалличности, однако фотолюминесценция оставалась типичной для нанокристаллов. Результаты объяснены преимущественным стоком атомовSi на вновь образующиеся кластеры, что согласуется с проведенным численным моделированием. Считается, что в фотолюминесценцию основной вклад вносят мелкие нанокристаллы, а рамановское рассеяние и электронная микроскопия регистрируют более крупные.