Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2005-00-00 ОрганизацияИнститут физики полупроводников им. В.Е.Лашкарева 03026 Киев, Украина * Институт сверхтвердых материалов им. В.Н.Бакуля, 04074 Киев, Украина ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Влияние температуры вакуумного отжига накрай фундаментального поглощения иструктурную релаксацию пленок a-SiC : H

Васин А.В., Русавский А.В., Лысенко В.С., Назаров А.Н., Кушниренко В.И., Старик С.П., Степанов В.Г.

Васин А.В., Русавский А.В., Лысенко В.С., Назаров А.Н., Кушниренко В.И., Старик С.П., Степанов В.Г. Влияние температуры вакуумного отжига накрай фундаментального поглощения иструктурную релаксацию пленок a-SiC : H // ФТП, 2005, том 39, выпуск 5, Стр. 602

Аннотация Представлены экспериментальные результаты исследования влияния температуры вакуумного отжига на свойства края фундаментального поглощения и реконструкцию ближнего порядка пленок аморфного гидрогенизированного карбида кремния a-SiC : H, полученных с помощью магнетронного распыления кремния в атмосфере Ar + CH4. Показано, что при низких температурах отжига (450oC) происходит перераспределение связанного водорода, определяемое обрывом кремний-водородных связей и захватом атомарного водорода на оборванные связи атомов углерода, что приводит к усилению видимой фотолюминесценции. При более высоких температурах отжига происходит обрыв углерод-водородных связей и кластеризация свободного углерода. Обосновывается, что центрами безызлучательной рекомбинации в пленках a-SiC : H в основном являются электронные состояния, обусловленные оборванными связями атомов углерода.