Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2005-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия * Institut fur Festkorperphysik, Technische Universitat, D-10623 Berlin, Deutschland ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Оптические свойства гетероструктур сквантово-размерными слоями InGaAsN наподложках GaAs, излучающих вобласти 1.3-1.55 мкм

Крыжановская Н.В., Егоров А.Ю., Мамутин В.В., Поляков Н.К., Цацульников А.Ф., Ковш А.Р., Леденцов Н.Н., Устинов В.М., Бимберг Д.

Крыжановская Н.В., Егоров А.Ю., Мамутин В.В., Поляков Н.К., Цацульников А.Ф., Ковш А.Р., Леденцов Н.Н., Устинов В.М., Бимберг Д. Оптические свойства гетероструктур сквантово-размерными слоями InGaAsN наподложках GaAs, излучающих вобласти 1.3-1.55 мкм // ФТП, 2005, том 39, выпуск 6, Стр. 735

Аннотация Проведены исследования фотолюминесцентных свойств двух видов гетероструктур с квантово-размерными слоями InGaAsN/GaAs, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии: 1)традиционные квантовые ямы InGaAsN в GaAs и 2)гетероструктуры с активной областью, состоящей из короткопериодной сверхрешетки GaAsN/InGaAsN, в центр которой помещена квантовая яма InGaAsN со вставкой InAs субмонослойной толщины. Исследованные гетероструктуры демонстрируют излучение в диапазоне длин волн от~1.3 до~1.55 мкм при комнатной температуре. Показано, что для получения излучения с длиной волны более1.5 мкм в гетероструктурах второго типа требуется меньшая средняя концентрация азота и индия, чем в традиционной квантовой яме, что позволяет существенно уменьшить эффекты, связанные с распадом твердого раствора InGaAsN, и значительно увеличить излучательную эффективность квантовых ям InGaAsN.