Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2005-00-00 ОрганизацияИнститут физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук, 630090 Новосибирск, Россия * Институт автоматики и электрометрии Сибирского отделения Российской академии наук, 630090 Новосибирск, Россия + Samsung Advanced Institute of Techn ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Новый элемент памяти накремниевых нанокластерах вдиэлектрике свысокой диэлектрической проницаемостью ZrO2 дляэлектрически перепрограммируемого постоянного запоминающего устройства

Гриценко В.А., Насыров К.А., Гриценко Д.В., Новиков Ю.Н., Асеев А.Л., Ли Д.Х., Ли Д.-В., Ким Ч.В.

Гриценко В.А., Насыров К.А., Гриценко Д.В., Новиков Ю.Н., Асеев А.Л., Ли Д.Х., Ли Д.-В., Ким Ч.В. Новый элемент памяти накремниевых нанокластерах вдиэлектрике свысокой диэлектрической проницаемостью ZrO2 дляэлектрически перепрограммируемого постоянного запоминающего устройства // ФТП, 2005, том 39, выпуск 6, Стр. 748

Аннотация Моделировались характеристики записи / стирания и хранения заряда в элементе памяти для электрически перепрограммируемого постоянного запоминающего устройства на основе структуры кремний / оксид / кремниевая-точка / оксид / полупроводник, в котором в качестве блокирующего диэлектрика использовались SiO2 и альтернативный диэлектрик с высокой диэлектрической проницаемостью ZrO2. Установлено, что применение альтернативного диэлектрика приводит к ряду эффектов: уменьшается паразитная инжекция из поли-Si, увеличивается поле в туннельном оксиде, появляется возможность увеличить толщину туннельного диэлектрика и, следовательно, увеличить время хранения информации, появляется возможность использовать более низкие напряжения записи / стирания. Программирование импульсом амплитудой ±11 В и длительностью 10 мс позволяет получить через 10лет окно памяти~3 В.