Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2005-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия * Всесоюзный электротехнический институт им. В.И.Ленина, 111250 Москва, Россия &#36; Cree Inc., 27703 Durham NC, USA ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Мощные биполярные приборы наоснове карбида кремния

Иванов П.А., Левинштейн М.Е., Мнацаканов Т.Т., Palmour J.W., Agarwal A.K.

Иванов П.А., Левинштейн М.Е., Мнацаканов Т.Т., Palmour J.W., Agarwal A.K. Мощные биполярные приборы наоснове карбида кремния // ФТП, 2005, том 39, выпуск 8, Стр. 897

Аннотация Рассмотрены высоковольтные биполярные приборы на основе 4H-SiC--- выпрямительные диоды, биполярные транзисторы и тиристоры. Приводятся результаты экспериментальных и теоретических исследований статических и динамических характеристик приборов. Проанализированы особенности их работы, обусловленные специфическими электронными свойствами карбида кремния и p-n-структур на его основе.