Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2005-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт Научно-производственного объединения &#92;glqq Физика--Солнце&#92;grqq Академии наук Республики Узбекистан, 700084 Ташкент, Узбекистан ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Исследование некоторых свойств структур Si--Si1-xGex (0=&lt;q x=&lt;q 1), выращенных из ограниченного оловянного раствора--расплава методом жидкофазной эпитаксии

Сапаев Б., Саидов А.С.

Сапаев Б., Саидов А.С. Исследование некоторых свойств структур Si--Si1-xGex (0=<q x=<q 1), выращенных из ограниченного оловянного раствора--расплава методом жидкофазной эпитаксии // ФТП, 2005, том 39, выпуск 10, Стр. 1183

Аннотация Экспериментально определены параметры решетки, ширина запрещенной зоны для структур Si--Si1-xGex в зависимости от соотношения химических компонентовx (0=<q x=<q 1). Исследованы распределение компонентов по толщине твердых растворов Si1-xGex и некоторые фотоэлектрические свойства. Экспериментальные данные указывают на совершенство полученных структур. Варизонные твердые растворы Si1-xGex (0=<q x=<q 1) могут быть применены для изготовления фотоэлектрических приборов, чувствительных к излучению в видимой и ближней инфракрасной областях, а также использоваться как подложечный материал для выращивания на нем GaAs и его твердых растворов.