Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2005-00-00 ОрганизацияИнститут физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук, 630090 Новосибирск, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Влияние квантово-размерного эффекта на оптические свойства нанокристаллов Ge впленках GeO2

Горохов Е.Б., Володин В.А., Марин Д.В., Орехов Д.А., Черков А.Г., Гутаковский А.К., Швец В.А., Борисов А.Г., Ефремов М.Д.

Горохов Е.Б., Володин В.А., Марин Д.В., Орехов Д.А., Черков А.Г., Гутаковский А.К., Швец В.А., Борисов А.Г., Ефремов М.Д. Влияние квантово-размерного эффекта на оптические свойства нанокристаллов Ge впленках GeO2 // ФТП, 2005, том 39, выпуск 10, Стр. 1210

Аннотация Исследованы пленки GeO2, содержащие нанокристаллы германия, полученные двумя способами: осаждением пленок из пересыщенных паров GeO с последующим распадом метастабильного монооксида германия на гетерофазную систему Ge : GeO2; формированием аномально толстых естественных окислов германия химического состава GeOx(H2O) при его каталитически ускоренном окислении. Пленки на различных подложках исследованы с применением методик фотолюминесценции, спектроскопии комбинационного рассеяния света, спектральной эллипсометрии, высокоразрешающей электронной микроскопии. Впленках GeO2 с нанокластерами Ge обнаружена интенсивная фотолюминесценция при комнатной температуре. Изположения пика спектра комбинационного рассеяния на локализованных оптических фононах оценены размеры нанокластеров. Получена корреляция между уменьшением размеров нанокластеров и сдвигом пиков фотолюминесценции в синюю область спектра при уменьшении доли кристаллического германия. Наличие нанокластеров подтверждено данными электронной микроскопии высокого разрешения. Наблюдается корреляция рассчитанной с учетом размерного квантования электронов и дырок оптической щели в нанокластерах с положением экспериментально наблюдаемого пика. Из полученных данных можно сделать вывод, что нанокластеры Ge в матрице GeO2 являются квантовыми точками первого рода.