Профиль » Публикация
Опубликовано
2005-00-00
ОрганизацияФизико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"
Исследование свойств двумерного электронного газа вгетероструктурах p--3C-SiC/n+-6H-SiC при низких температурах
Лебедев А.А., Нельсон Д.К., Разбирин Б.С., Сайдашев И.И., Кузнецов А.Н., Черенков А.Е. Исследование свойств двумерного электронного газа вгетероструктурах p--3C-SiC/n+-6H-SiC при низких температурах // ФТП, 2005, том 39, выпуск 10, Стр. 1236
Аннотация
Проведено исследование спектров фотолюминесценции и магнитосопротивления эпитаксиальных структур p--3C-SiC/n+-6H-SiC при температурах 6-80 K. Проведенные исследования показали влияние гетероперехода как на спектр фотолюминесценции, так и на величину сопротивления. Однако недостаточное структурное совершенство эпитаксиальных структур не позволили пока получить эффекты, \glqq классические\grqq для структур с двумерным газом. Следует ожидать, что усложнение техники эксперимента, а также оптимизация ростовых и послеростовых технологийSiC позволят это сделать в ближайшем будущем.
Комментарии
Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален