Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:
Опубликовать в блог:
Опубликовано 2005-00-00 ОрганизацияМосковский государственный университет им.М.В.Ломоносова (физический факультет), 119992 Москва, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"


Роль исходного легирования в эффекте изменения концентрации носителей заряда впористом кремнии приадсорбции молекул аммиака
Павликов А.В., Осминкина Л.А., Белогорохов И.А., Константинова Е.А., Ефимова А.И., Тимошенко В.Ю., Кашкаров П.К.
Павликов А.В., Осминкина Л.А., Белогорохов И.А., Константинова Е.А., Ефимова А.И., Тимошенко В.Ю., Кашкаров П.К. Роль исходного легирования в эффекте изменения концентрации носителей заряда впористом кремнии приадсорбции молекул аммиака // ФТП, 2005, том 39, выпуск 11, Стр. 1385
Аннотация Методом инфракрасной спектроскопии исследовано влияние адсорбции молекул аммиака на концентрацию равновесных носителей заряда в слоях пористого кремния с различным исходным типом легирующей примеси и значением ее концентрации. Обнаружено, что в образцах n-типа адсорбция аммиака ведет к увеличению количества свободных электронов до уровня, превышающего1018 см-3. Для образцов p-типа наблюдается немонотонная зависимость концентрации носителей заряда от давления аммиака. Полученные результаты объясняются появлением адсорбционно-индуцированных мелких донорных состояний, которые наряду с состояниями исходной легирующей примеси и поверхностных дефектов определяют тип и концентрацию носителей заряда в кремниевых нанокристаллах пористого слоя после адсорбции аммиака.

Комментарии

Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален