Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2005-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Моделирование вольт-фарадных характеристик сегнетоэлектрика

Берман Л.С.

Берман Л.С. Моделирование вольт-фарадных характеристик сегнетоэлектрика // ФТП, 2005, том 39, выпуск 12, Стр. 1436

Аннотация Выполнено моделирование параметров сегнетоэлектрика при отсутствии начальной поляризации. Сегнетоэлектрик легирован мелкой примесью. Один контакт образует барьер Шоттки, другой контакт--- омический. Вычислено изменение электрического поля, потенциала, поляризации и диэлектрической проницаемости по толщине области объемного заряда. Показано, что значение диэлектрической проницаемости в слабом поле varepsiloneff 0 может быть определено по параметрам экспериментальной петли гистерезиса. Вслабых полях (E