Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2006-00-00 ОрганизацияИнститут физики микроструктур Российской академии наук, 603950 Нижний Новгород, Россия * Всесоюзный научно-исследовательский институт экспериментальной физики, 607190 Саров, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Сопоставительный анализ моделей кинетики распада молекул силана наповерхности приэпитаксиальном росте пленок кремния ввакууме

Орлов Л.К., Смыслова Т.Н.

Орлов Л.К., Смыслова Т.Н. Сопоставительный анализ моделей кинетики распада молекул силана наповерхности приэпитаксиальном росте пленок кремния ввакууме // ФТП, 2006, том 40, выпуск 1, Стр. 45

Аннотация На основе различных физико-химических моделей проведен анализ поверхностных концентраций продуктов распада моносилана на поверхности кремниевой пластины. Выполненные расчеты позволили оценить коэффициент кристаллизации и его зависимость от температуры и от давления газа в реакторе. Показано, что качественный характер зависимостей поверхностных концентраций и коэффициента кристаллизации от температуры слабо зависит от конкретного выбора радикала SiHn, лимитирующего процесс пиролиза по времени. Общий вид изучаемых зависимостей слабо чувствителен также к тому, на какой стадии удаляется водород с поверхности. Вто же время количественные характеристики поверхностных концентраций в значительной степени зависят от выбора конкретного пути распада силана на поверхности. Вработе проанализированы зависимости коэффициента кристаллизации атомов кремния на поверхности роста от температуры эпитаксиального процесса, давления газов в реакторе и частоты распада молекул силана на поверхности. Показано, что если при повышенных температурах роста скорость наращивания пленки чувствительна к величине скорости пиролиза молекул, то при низкой температуре роста только заполнение поверхности водородом является единственным фактором, определяющим скорость эпитаксиального процесса. PACS: 82.30.Fi, 82.20.Wt, 68.35.Bs