Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2006-00-00 ОрганизацияИнститут физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук, 630090 Новосибирск, Россия * Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета, 603950 Нижний Новгород, Россия + Laser Zentrum H ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Влияние имплантации ионов бора ипоследующих отжигов насвойства нанокристалловSi

Качурин Г.А., Черкова С.Г., Володин В.А., Марин Д.М., Тетельбаум Д.И., Becker H.

Качурин Г.А., Черкова С.Г., Володин В.А., Марин Д.М., Тетельбаум Д.И., Becker H. Влияние имплантации ионов бора ипоследующих отжигов насвойства нанокристалловSi // ФТП, 2006, том 40, выпуск 1, Стр. 75

Аннотация Методами фотолюминесценции и рамановского рассеяния исследовано влияние имплантации 1013-1016 см-2 ионов бора и последующих стационарных термических или лазерных импульсных (20 нс) отжигов на свойства нанокристаллов Si в SiO2. ИмплантацияB гасила фотолюминесценцию, обусловленную размерным квантованием. Сопоставление с действием других ионов показало, что рост массы частиц увеличивает затраты упругих потерь на гашение ФЛ. Это объясняется связыванием генерируемых дефектов в комплексы, не являющиеся центрами безызлучательной рекомбинации. Исследования подтвердили существование ускорения кристаллизации нанопреципитатов при введении примеси, а также выявили особенности, связанные с малыми размерами атомов бора. Отмечана эффективность лазерных отжигов для постимплантационного восстановления фотолюминесценции, обусловленная возможностью кратковременного плавления нанокристаллов. Несмотря на свидетельства попадания бора внутрь нанокристаллов, признаки появления свободных дырок отсутствовали. Причиной считается заглубление примесных уровней в нанокристаллах. PACS: 81.07.-h, 81.40.Ef, 81.40.Tv, 61.46.+w, 61.72.Ww