Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2006-00-00 ОрганизацияИнститут физики полупроводников им.В.Е.Лашкарева Национальной академии наук Украины, 03028 Киев, Украина ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Механизм токопрохождения в электролюминесцентных структурах пористый кремний / монокристаллический кремний

Евтух А.А., Каганович Э.Б., Манойлов Э.Г., Семененко Н.А.

Евтух А.А., Каганович Э.Б., Манойлов Э.Г., Семененко Н.А. Механизм токопрохождения в электролюминесцентных структурах пористый кремний / монокристаллический кремний // ФТП, 2006, том 40, выпуск 2, Стр. 180

Аннотация Получены электролюминесцентные, излучающие в видимой области спектра, структуры на основе пористого кремния (por-Si), сформированного на подложке p-Si электролитически с использованием внутреннего источника тока. Изучены фото- и электролюминесцентные свойства, вольт-амперные и вольт-фарадные характеристики. Электролюминесценция наблюдается только при прямом смещении, механизм электролюминесценции--- инжекционный, связан с излучательной рекомбинацией электронов и дырок в квантово-размерных нанокристалахSi. Инжекция дырок определяется режимом их аккумуляции в области пространственного заряда p-Si, невысокой концентрацией электронных состояний на границе por-Si/p-Si. Токопрохождение в por-Si обусловлено прямым туннелированием носителей между квантовыми уровнями, что обеспечивается значительным числом квантово-размерных нанокристалловSi. Токи утечки малы благодаря малой дисперсии размеров нанокристалловSi, отсутствию крупных нанокристаллов. PACS: 73.40.Kp, 78.60.Fi