Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2006-00-00 ОрганизацияМосковский государственный университет им.М.В.Ломоносова, 119992 Москва, Россия * Department ofMaterials Engineering, Ben-Gurion University oftheNegev, P.O.Box653, Beer-Sheva 84105, Israel ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Замороженная инфракрасная фотопроводимость вструктурах InAs/GaAs сослоями квантовых точек

Кульбачинский В.А., Рогозин В.А., Кытин В.Г., Лунин Р.А., Звонков Б.Н., Дашевский З.М., Касиян В.А.

Кульбачинский В.А., Рогозин В.А., Кытин В.Г., Лунин Р.А., Звонков Б.Н., Дашевский З.М., Касиян В.А. Замороженная инфракрасная фотопроводимость вструктурах InAs/GaAs сослоями квантовых точек // ФТП, 2006, том 40, выпуск 2, Стр. 215

Аннотация Исследована замороженная инфракрасная фотопроводимость в структурах p- и n-типа проводимости InAs/GaAs со слоями квантовых точек. Затухание фотопроводимости в начальном временном интервале после выключения подсветки происходит по логарифмическому закону. Характерное время релаксации зависит от температуры, уменьшаясь с ростом температуры. Предложена простая модель релаксации фотопроводимости, основанная на термической активации носителей заряда из слоя квантовых точек, согласующаяся с экспериментальными данными. PACS: 73.63.Kv, 73.21.La