Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2006-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Влияние неоднородности толщины диэлектрика напереключение туннельной МОП структуры Al/SiO2/n-Si приобратном смещении

Тягинов С.Э., Векслер М.И., Шулекин А.Ф., Грехов И.В.

Тягинов С.Э., Векслер М.И., Шулекин А.Ф., Грехов И.В. Влияние неоднородности толщины диэлектрика напереключение туннельной МОП структуры Al/SiO2/n-Si приобратном смещении // ФТП, 2006, том 40, выпуск 3, Стр. 314

Аннотация Проведены расчеты вольт-амперных характеристик обратно смещенной МОП структуры Al/SiO2/n-Si с учетом неоднородности распределения толщины окисла по площади при номинальной толщине 1--3 нм. Известно, что в определенном диапазоне средних толщин SiO2 характеристики имеют S-образную форму, свидетельствуя о бистабильности прибора. Предсказан сдвиг напряжений удержания и включения, связанный с наличием статистического разброса толщины. Под действием электрического стресса среднеквадратичное отклонение толщины SiO2 увеличивается; это приводит к сдвигу напряжений переключения в сторону больших значений. Расчеты дополнены экспериментальными данными. PACS: 73.40.Qv