Профиль » Публикация
Опубликовано
2006-00-00
ОрганизацияФизико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия
ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"
Влияние внутризонной электронной релаксации напороговые характеристики лазеров наквантовых ямах
Костко И.А., Гунько Н.А., Баженов Н.Л., Мынбаев К.Д., Зегря Г.Г. Влияние внутризонной электронной релаксации напороговые характеристики лазеров наквантовых ямах // ФТП, 2006, том 40, выпуск 4, Стр. 488
Аннотация
Исследовано влияние внутризонной релаксации носителей заряда на пороговые характеристики лазеров на квантовых ямах на основе InGaAsP. Исследована зависимость времени внутризонной дырочно-дырочной релаксакции tauint от температуры и концентрации носителей. Показано, что учет конечного значенияtauint и его зависимости от температуры и концентрации носителей оказывает сильное влияние на величину коэффициента усиления и пороговой плотности тока в лазерах на квантовых ямах. PACS: 42.55.Ah, 42.55.Px, 78.67.De
Комментарии
Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален