Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2006-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Транзистор стуннельным МОП эмиттером как инструмент дляопределения эффективной массы дырки втонкой пленке диоксида кремния

Векслер М.И., Тягинов С.Э., Шулекин А.Ф.

Векслер М.И., Тягинов С.Э., Шулекин А.Ф. Транзистор стуннельным МОП эмиттером как инструмент дляопределения эффективной массы дырки втонкой пленке диоксида кремния // ФТП, 2006, том 40, выпуск 4, Стр. 498

Аннотация Экспериментально определено значение эффективной массы дырки в туннельно-тонком (2-3 нм) слое SiO2: mh=(0.32-0.33)m0. Использование этого значения обеспечивает адекватное моделирование дырочного тока прямого туннелирования в приборах на основе МОП структур. Для нахождения указанного параметра впервые применена математическая обработка характеристик транзисторов с туннельным МОП эмиттером, что дает возможность точно найти эффективную толщину окисла, поскольку эффективная масса электрона в SiO2 известна из литературы. При расчетах использовалась модель, в которой вероятность прохождения через барьер зависит только от компоненты энергии частицы Ez, связанной с движением в направлении туннелирования. PACS: 85.30.De, 73.40.Qv