Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2006-00-00 ОрганизацияИнститут сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, 117105 Москва, Россия * Физический институт им.П.Н.Лебедева Российской академии наук, 117924 Москва, Россия + Институт радиотехники и электроники Российской академии нау ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Исследования физических явлений вполупроводниковых наноструктурах сиспользованием планарно-неоднородных слоев. Фотолюминесценция структур сэлектронными delta -легированными слоями

Хабаров Ю.В., Капаев В.В., Петров В.А., Галиев Г.Б.

Хабаров Ю.В., Капаев В.В., Петров В.А., Галиев Г.Б. Исследования физических явлений вполупроводниковых наноструктурах сиспользованием планарно-неоднородных слоев. Фотолюминесценция структур сэлектронными delta -легированными слоями // ФТП, 2006, том 40, выпуск 5, Стр. 572

Аннотация В рамках предложенного ранее спектрально-корреляционного метода исследования полупроводниковых структур с планарно-неоднородными слоями экспериментально исследована при температуре77 K фотолюминесценция структуры на основеGaAs с delta-слоями n-типа. Этот метод позволил изучить на одном образце зависимости особенностей наблюдаемого многокомпонентного спектраФЛ от вариации двух параметров--- расстояния между delta-слоями и состава находящейся между ними узкой квантовой ямы InGaAs. Полученные результаты позволяют связать наблюдаемое экспоненциальное увеличение интенсивности фотолюминесценции из области delta-слоев при изменении этих параметров с изменением соотношения латерально локализованных в минимумах флуктуационного потенциала и свободных двумерных дырок. Обнаружен эффект стабилизации энергетического положения спектральных линий фотолюминесценции, который мы связываем с локализацией дырок в потенциальной яме между delta-слоями. Полученные экспериментальные результаты согласуются с проведенными в работе численными расчетами. PACS: 78.55.Cr, 73.63.-b, 78.67.Pt