Профиль » Публикация
Опубликовано
2006-00-00
ОрганизацияИнститут физики полупроводников Национальной академии наук Украины, 03028 Киев, Украина
ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"
Излучательное время жизни электронов идырок в тонком слое полупроводника
Пипа В.И. Излучательное время жизни электронов идырок в тонком слое полупроводника // ФТП, 2006, том 40, выпуск 6, Стр. 686
Аннотация
Вычислено излучательное время жизни невырожденных электронов и дырок, однородно распределенных в полупроводниковом слое, который расположен на подложке или ограничен двумя диэлектрическими средами. Полученное выражение учитывает эффекты перепоглощения и интерференции излучения и определяет зависимости излучательного времени жизни от показателей преломления внешних сред и от толщины слоя. PACS:78.20.Bh, 78.20.Ci, 78.55.-m
Комментарии
Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален