Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2006-00-00 ОрганизацияСибирский физико-технический институт им.В.Д.Кузнецова при Томском государственном университете, 634050 Томск, Россия * Томский государственный университет, 634050 Томск, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Электрические и газочувствительные свойства резистивного тонкопленочного сенсора наоснове диоксида олова

Анисимов О.В., Гаман В.И., Максимова Н.К., Мазалов С.М., Черников Е.В.

Анисимов О.В., Гаман В.И., Максимова Н.К., Мазалов С.М., Черников Е.В. Электрические и газочувствительные свойства резистивного тонкопленочного сенсора наоснове диоксида олова // ФТП, 2006, том 40, выпуск 6, Стр. 724

Аннотация На основе простой модели резистивного тонкопленочного сенсора получено аналитическое выражение, описывающее зависимости отклика на воздействие восстановительного газа от температуры, парциального давления газа, концентрации донорной примеси в пленкеSnO2 и от времени после начала действия газа. Анализ экспериментальных данных показал, что при T563 K--- центрами сO-. Молекулы метана при T>=q 510 K взаимодействуют с центрами, занятымиO-. С помощью данных по временным зависимостям отклика в широком интервале температур определены энергии активации десорбции. При T563 K для водорода и при T>510 K для метана она равна1.3 эВ. Энергия активации адсорбции для метана равна2.5 эВ. PACS: 07.07.Df; 73.50.Dn; 68.43.Mn